等向性 MgB2 薄膜中的抗亚利克通电性
超导电性
2009-11-07 v1
摘要
通过脉冲激光沉积制备的高品质等向性 MgB2 薄膜（Tc=39 K）提供了研究磁场下超导态异向性与稳健性的机会。我们测量了薄膜在磁场下（最高至 60T）的平面电阻率，估算出沿 c 轴方向的超导上临界场 Hc(0) = 24±3 T，平面内方向的 Hab(0) = 30±2 T。我们发现零温相干长度 xi_c(0) = 30 Å 和 xi_ab(0) = 37 Å 均短于电子平均自由程 l = 100±50 Å，这将我们的薄膜置于洁净极限。观察到洁净极限样品所产生的大型上临界场，结合相对较小的各向异性，提供了强有力的证据表明 MgB2 作为技术性重要超导体的可行性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0106146,
title = {Anisotropic Superconductivity in Epitaxial MgB2 Films},
author = {M. H. Jung and M. Jaime and A. H. Lacerda and G. S. Boebinger and W. N. Kang and H. J. Kim and E. M. Choi and S. I. Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0106146},
year = {2009}
}
备注
11 pages, including 4 figures. Chem. Phys. Lett., in press