c 轴取向等瓦尔 MgB$_2$ 薄膜的合成与性能

S. D. Bu; D. M. Kim; J. H. Choi; J. Giencke; S. Patnaik; L. Cooley; E. E. Hellstrom; D. C. Larbalestier; C. B. Eom; ; J. Lettieri; D. G. Schlom; ; W. Tian; X. Pan

doi:10.1063/1.1504490

c 轴取向等瓦尔 MgB$_2$ 薄膜的合成与性能

超导电性 2009-11-07 v1 材料科学

作者: S. D. Bu , D. M. Kim , J. H. Choi , J. Giencke , S. Patnaik , L. Cooley , E. E. Hellstrom , D. C. Larbalestier , C. B. Eom , ; J. Lettieri , D. G. Schlom , ; W. Tian , X. Pan

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摘要

我们报告了在 (0001) Al $_2$ O $_3$ 衬底上生长和 MgB $_2$ 薄膜的制备与性能。通过在沉积后通过 RF 滚射沉积硼膜，然后在镁蒸气中进行 850C 的后烘结制备了 MgB $_2$ 薄膜。X 射线衍射和横截面 TEM 显示，等瓦尔 MgB $_2$ 薄膜的 c 轴与 (0001) Al $_2$ O $_3$ 衬底垂直，并在 ab 平面上相对于衬底旋转 30 度。临界温度为 35 K，各向异性比 Hc2(沿薄膜) / Hc2(垂直于薄膜) 约为 25 K 时的 3。4.2 K 和 20 K (在 1 T 正切磁场下) 的临界电流密度分别为 5x10E6 A/cm $^2$ 和 1x10E6 A/cm $^2$ 。等瓦尔 MgB $_2$ 薄膜的受控生长为理解 MgB $_2$ 超导性及其技术应用开辟了新的道路。

关键词

MgB$_2$ 等瓦尔薄膜 c 轴取向临界温度临界电流密度

引用

@article{arxiv.cond-mat/0204004,
  title  = {Synthesis and Properties of c-axis Oriented Epitaxial MgB2 Thin Films},
  author = {S. D. Bu and D. M. Kim and J. H. Choi and J. Giencke and S. Patnaik and L. Cooley and E. E. Hellstrom and D. C. Larbalestier and C. B. Eom and ; J. Lettieri and D. G. Schlom and ; W. Tian and X. Pan},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0204004},
  year   = {2009}
}

备注

10 pages, 6 figures

c 轴取向等瓦尔 MgB$_2$ 薄膜的合成与性能

摘要

关键词

引用

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