由 dc 磁枪溅射法原位生长的高品质 MgB2 薄膜
超导电性
2009-11-07 v1
摘要
我们采用磁枪溅射 deposition 技术并在 830 C 进行原位退火，生长了最近发现的镁硼化物 (MgB2) 金属间超导化合物的薄膜。在横向和 MgO 基底上均获得了高品质薄膜。最佳薄膜显示出最高 Tc = 35 K (起点)，过渡宽度为 0.5 K，残余电阻率比最高可达 1.6，低温临界电流密度 Jc > 1 MA/cm2 且临界场各向异性 gamma = 2.5接近单晶值。该制备技术可以轻松扩展以生产大面积原位薄膜。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0203322,
title = {High quality MgB2 thin films in-situ grown by dc magnetron sputtering},
author = {R. Vaglio and M. G. Maglione and R. Di Capua},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0203322},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 4 figures