用于 in situ 退火脉冲激光沉积方法的 off-axis MgB2 薄膜
超导电性
2009-11-11 v1
摘要
通过脉冲激光沉积 (PLD) 采用 off-axis 几何构成，制备了高度光滑且 c 轴取向的超导 MgB2 薄膜。薄膜在 120 mTorr 纯稀气氛下的 Ar 背景气体中沉积于与比例 MgB2 靶面垂直对齐。进行 in situ 退火处理，于 650℃ 下持续 1 分钟，采用 760 Torr Ar 气压。尽管退火时间较短，x 射线 θ-2θ 扫描显示薄膜晶体结构较好，呈清晰的 c 轴取向峰。原子力显微镜和 x 射线衍射结果表明，晶粒尺寸小于 50nm。我们 off-axis 薄膜的根均方粗糙度在 5×5 微米区域内约为 4 nm。最佳 off-axis 薄膜的 Tc 开始值达到 33.1 K，过渡宽度窄至 0.9 K。薄膜在平行和垂直场作用下显示 Hc2-T 曲线无各向异性。低场区间 Hc2-T 曲线斜率为 1 T/K，这是已报告的最高值之一。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503730,
title = {Off-axis MgB2 films using an in situ annealing pulsed laser deposition method},
author = {Yue Zhao and Mihail Ionescu and Josip Horvat and Shi Xue Dou},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503730},
year = {2009}
}
备注
7 pages 7 figures