脉冲激光沉积生长 c 轴取向 MgB2 薄膜的方法
超导电性
2009-11-07 v1
摘要
采用脉冲激光沉积技术，在不同方法下于 MgO 和 Al2O3 衬底上均获得了高质量的 MgB2 薄膜。在标准两步法中，从化学计量靶和硼靶出发，在室温下沉积非晶前驱层：在此第一步之后，将其在镁气氛中退火以使超导相结晶。所获得的薄膜表现出强烈的 c 轴取向（由 XRD 分析证实），临界温度高达 38 K，且沿基面具有极高的临界场，15 K 时高达 22 T。此外，还开发了一种用于制备超导 MgB2 薄膜的原位一步技术。在这种情况下，沉积过程中氩缓冲气体的存在至关重要，我们观察到沉积薄膜的质量对背景气压有强烈的依赖性。对羽流的发射光谱进行时间和空间分辨光谱测量，证实了 Ar 气氛的影响。Ar 气压通过促进羽流物质（特别是最易挥发的 Mg 原子）的激发和电离，显著改变了等离子体动力学，提高了其内能。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210048,
title = {Growth methods of c-axis oriented MgB2 thin films by pulsed laser deposition},
author = {V. Ferrando and S. Amoruso and E. Bellingeri and R. Bruzzese and P. Manfrinetti and D. Marre' and R. Velotta and X. Wang and C. Ferdeghini},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210048},
year = {2009}
}
备注
Paper presented at Boromag Workshop, Genoa 17-19 June 2002, in press on SUST