不同制备方法下 MgB2 超导薄膜的生长机制
超导电性
2009-11-07 v3 材料科学
摘要
通过详细的横截面扫描电子显微镜（SEM）研究，比较了不同方法在各种基片上制备的 MgB2 薄膜的生长机制。分析的薄膜包括：(a) 采用 900℃ 电子束蒸发硼材料并在镁蒸汽存在下进行外壳后火热处理获得的样品（ exhibits 典型 Tc0 约为 38.8 K），(b) 采用相同 900℃ 外壳火热处理的脉冲激光沉积（PLD）制备的 Mg+B 前驱体样品（ exhibits Tc0 约为 25 K），以及(c) 采用 PLD 制备的 Mg+B 前驱体进行低温（600-630℃）内壳火热处理获得的薄膜（Tc0 约为 24 K）。还发现了从 PLD 前驱体制备薄膜中显著的氧气污染。相比之下，清晰地观察到采用电子束蒸发硼与镁蒸汽高温反应制备的薄膜由薄膜表面独立 MgB2 颗粒的核化形成，表明该方法可能不适用于获取光滑的（可能是）等向素薄膜。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0103618,
title = {Growth mechanism of superconducting MgB2 films prepared by various methods},
author = {H. Y. Zhai and H. M. Christen and L. Zhang and M. Paranthaman and C. Cantoni and B. C. Sales and P. H. Fleming and D. K. Christen and D. H. Lowndes},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0103618},
year = {2009}
}
备注
1 table, 4 figures, 17 references, 16 pages PDF file