MgB2 薄膜微波电动力学响应的研究
超导电性
2015-06-24 v2 材料科学
摘要
我们报告了对新型超导体 MgB2 薄膜微波表面阻抗功率依赖性的研究。500 nm 厚的样品，其临界温度范围在 26~38 K 之间，通过在 900°C 时对 e-beam 蒸发的硼在 Mg 气相中进行外壳后退火获得。同时也报告了使用来自计量 MgB2 和 Mg 靶的高速磁溅射技术原位生长薄膜的初步结果。微波测量采用工作于 19.8 GHz、4 K 的介质加载 Nb 超导腔体完成。该研究表明，MgB2 薄膜的电动力学响应目前受耗散源的支配，这些耗散源在低功率时已显现，可能归因于样品中含有晶界和常规杂质。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0109465,
title = {Study of the microwave electrodynamic response of MgB2 thin films},
author = {A. Andreone and A. Cassinese and C. Cantoni and E. Di Gennaro and G. Lamura and M. G. Maglione and M. Paranthaman and M. Salluzzo and R. Vaglio},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0109465},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 3 figures, proceedings of the conference EUCAS 2001, submitted to Physica C