在 Si 和 Al2O3 衬底上的 MgB2 超导薄膜
超导电性
2009-11-07 v2 材料科学
摘要
通过三种不同的方法在蓝宝石和硅衬底上制备了 MgB2 超导薄膜。在镁蒸气中进行异位退火的硼薄膜，形成了晶体尺寸低于约 1000 nm 的织构多晶薄膜，起始临界温度 Tcon 接近 39 K，相变宽度约 1 K。在蓝宝石和硅衬底上共沉积的硼和镁薄膜，无论是异位还是原位退火，都能得到光滑的纳米晶薄膜。在硅衬底上共沉积的纳米晶 MgB2 薄膜的直流特性达到 Tcon = 33 K 和零电阻 Tco = 27 K，这是迄今为止在 Si 衬底上获得的最高值。此外，微波分析证明薄膜在 39 K 以下存在超导部分。这一结果证实了通过硼和镁薄膜的真空共沉积，在硅衬底上合成临界温度接近 39 K 的纳米晶超导 MgB2 薄膜的可能性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0105612,
title = {MgB2 superconductor thin films on Si and Al2O3 substrates},
author = {A. Plecenik and L. Satrapinsky and P. Kus and S. Gazi and S. Benacka and I. Vavra and I. Kostic},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0105612},
year = {2009}
}
备注
7 pages