原位方法制备 SiC 缓冲 Si 衬底上的纳米晶 MgB2 薄膜
超导电性
2009-11-11 v1 材料科学
摘要
通过 B-Mg 双层的顺序电子束蒸发及随后的原位退火，在 SiC 缓冲的 Si 衬底上沉积了 MgB2 薄膜。SiC 缓冲层的应用使最高退火温度可达 830 C。透射电子显微镜分析证实了纳米晶 MgB2 薄膜的生长，以及薄膜表面存在 Mg2Si 化合物。厚度为 150-200 nm 的薄膜显示出高于 37 K 的最大零电阻临界温度 TC0，以及在 11 K 下约 106 A/cm2 的临界电流密度 JC。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507519,
title = {Nanogranular MgB2 thin films on SiC buffered Si substrates prepared by in-situ method},
author = {S. Chromik and J. Huran and V. Strbik and M. Spankova and I. Vavra and W. Bohne and J. Rohrich and E. Strub and P. Kovac and S. Stancek},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507519},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 6 figures, submitted to Applied Physics Letters