脉冲激光沉积法制备 MgB2 薄膜中的 Si 掺杂
超导电性
2007-05-23 v2
摘要
通过脉冲激光沉积 (PLD) 制作了一系列 MgB2 薄膜，掺入 various amounts 的 Si，最高可达 18wt%。通过依次喷溅制备比例 MgB2 靶和 Si 靶来引入 Si。掺杂薄膜在 250°C 沉积，随后在 685°C 下进行 1 分钟的原位退火。对于 Si 掺杂水平约为 11wt% 时，薄膜的超导临界温度 (Tc) 与对照无掺杂薄膜几乎无显著变化。相较于对照薄膜，掺杂约 3.5wt% 的薄膜在 5K 下的磁临界电流密度 (Jc) 增加了 50%。此外，Si 掺杂 MgB2 薄膜的不可逆场 (Hirr) 在低温下高于无掺杂薄膜。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0311055,
title = {Si doping on MgB2 thin films by pulsed laser deposition},
author = {Y. Zhao and M. Ionescu and J. Horvat and A. H. Li and S. X. Dou},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0311055},
year = {2007}
}
备注
7 pages, 7 figures; typos corrected in Figure 5