MgB2 薄膜中的多态转变
超导电性
2007-05-23 v1
摘要
我们通过后退火过程生长了 MgB2 薄膜。前体在 Al2O3(0001) 衬底上通过 Mg 与 MgB2 的代码沉积使用脉冲激光沉积技术制备。通过 ex situ 后退火过程获得了具有各种退火温度和持续时间的超导 MgB2 薄膜。在磁力测量中我们发现几乎所有样品中都存在多个相变，温度依赖的电阻确认了这一现象。我们证明这并非由于镁缺乏导致。还研究了 MgB2 薄膜在强磁场下的运输性质。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0412776,
title = {Multi transitions in MgB2 films prepared by pulsed laser deposition},
author = {Yi Zhao and Yuemeng Chi and Ruijuan Nie and Furen Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412776},
year = {2007}
}
备注
17 pages, 2 tables, 7 figures