Mg 缺陷对 HPCVD 生长 MgB2 薄膜超导性的影响
超导电性
2009-11-13 v1
摘要
研究了混合物理化学气相沉积 (HPCVD) 生长的 MgB2 薄膜在不同温度真空退火后 Mg 缺陷的影响。本研究使用了生长在 c 切面 Al2O3 衬底上的高质量 MgB2 薄膜，其超导转变温度 (Tc) 分别为 40.2 K 和 41 K。随着退火温度从 200 C 升高到 800 C，MgB2 薄膜系统中的 Mg 含量系统性降低，但在退火温度达到 700 C 之前，Tc 的变化在 0.12 K 以内。然而，对于在 800 C 退火 30 分钟的 MgB2 薄膜，未观察到超导性，且电阻率的温度依赖性表现出半导体行为。我们还发现剩余电阻率比随退火温度的升高而降低。
引用
@article{arxiv.0709.1989,
title = {Influence of Mg Deficiency on the Superconductivity in MgB2 Thin Films Grown by using HPCVD},
author = {Ji Young Huh and Won Kyung Seong and Soon-Gil Jung and W. N. Kang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.1989},
year = {2009}
}
备注
7 pages including 4 figures