通过后退火技术制备 MgB2 超导薄膜
超导电性
2009-11-07 v1 材料科学
摘要
我们报告了退火对 MgB2 薄膜超导性的影响，研究退火温度范围为 700°C 到 950°C，退火时间范围为 30 分钟至 120 分钟。在 900°C 退火 30 分钟时，获得了最佳质量的 MgB2 薄膜，其过渡温度为 39 K，临界电流密度约为 10^7 A/cm^2。我们还采用扫描电子显微镜研究了薄膜生长机制。退火温度更高的样品表现出更大的晶粒尺寸、良好的 c 轴取向晶体结构以及光滑的表面形貌。然而，退火时间过长会阻止晶粒取向并降低超导性，表明基板与 MgB2 薄膜之间存在强烈的界面反应。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0209226,
title = {Growth of superconducting MgB2 thin films via postannealing techniques},
author = {W. N. Kang and Eun-Mi Choi and Hyeong-Jin Kim and Hyun-Jung Kim and Sung-Ik Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0209226},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 4 figures included