面向超导电子器件的原位生长镁硼二硅薄膜
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
与多层器件制造兼容的薄膜技术是探索镁二硼化物（MgB）这种39 K 超导体在超导电子器件中的潜力的关键技术。本文采用混合物理-化学气相沉积（HPCVD）工艺，实现了MgB相在 thermodynamically 稳定状态下的高镁蒸气压力，从而实现了MgB薄膜的原位生长。薄膜在（0001）砖砾和（0001）4H-SiC衬底上均实现了 epitaxially 生长，表现出与 bulk 相同的 39 K 普通临界温度、零场下 4.2 K 时的 (4.2K) 为 A/cm，以及在平行磁场下 为 29.2 T。SiC上的MgB薄膜表面光滑，根均方粗糙度仅为2.5 nm。该沉积方法为基于MgB的超导电子器件开辟了广阔的机遇。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0203563,
title = {In situ epitaxial MgB2 thin films for superconducting electronics},
author = {X. H. Zeng and A. V. Pogrebnyakov and A. Kotcharov and J. E. Jones and X. X. Xi and E. M. Lysczek and J. M. Redwing and S. Y. Xu and Qi Li and J. Lettieri and D. G. Schlom and W. Tian and X. Q. Pan and Z. K. Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0203563},
year = {2009}
}