利用 HPCVD 生长具有柱状结构的外延 MgB2 厚膜
超导电性
2007-09-13 v1
摘要
利用混合物理化学气相沉积 (HPCVD) 技术，在 600 C 下于 AlO衬底上生长了外延 MgB厚膜。为了在衬底周围获得高镁蒸气压，我们使用了一种带有衬底盖的特殊感应器，并实现了 0.17 m/min 的极高生长速率。通过截面和平面视图透射电子显微镜 (TEM) 图像观察到了六角形柱状结构。对于 1.7 m 厚的薄膜，观测到其 为 40.5 K，且在 30 K 时 为 1.5 10 A/cm。文中将讨论由柱间边界引起的涡旋钉扎机制。
引用
@article{arxiv.0709.1884,
title = {Growth of Epitaxial MgB2 Thick Films with Columnar Structures by Using HPCVD},
author = {Won Kyung Seong and Ji Yeong Huh and Won Nam Kang and Jeong-Woon Kim and Yong-Seung Kwon and Nam-Keun Yang and Je-Geun Park},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.1884},
year = {2007}
}
备注
10 pages including 6 figures