混合价态YbAl3薄膜的外延生长与电子性质
材料科学
2016-08-04 v1
摘要
我们报道了利用分子束外延在MgO上生长混合价态化合物YbAl薄膜。采用铝缓冲层，可以生长出表面粗糙度低于1 nm的外延(001)薄膜。利用X射线衍射、原位低能电子衍射和球差校正扫描透射电子显微镜，我们证实了薄膜在体相和表面均具有良好的有序性。我们的薄膜表现出37 K的相干温度，与已报道的体单晶相当。光电子能谱揭示了来自 和 终态的贡献，证实了YbAl是混合价态化合物，并在费米能级附近显示出Kondo共振峰。
引用
@article{arxiv.1608.01045,
title = {Epitaxial growth and electronic properties of mixed valence YbAl3 thin films},
author = {Shouvik Chatterjee and Suk Hyun Sung and David J. Baek and Lena F. Kourkoutis and Darrell G. Schlom and Kyle M. Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.01045},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 6 figures