分子束外延生长的钛酸铅薄膜
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
本文报道了在SrTiO3衬底上利用分子束外延生长原子级平整的铁电PbTiO3薄膜。生长这些材料的主要问题是铅的高挥发性。通过使用PbO代替Pb作为源，并在生长过程中使用原子氧，可以在很大程度上克服这一问题。在所研究的温度范围内，面外晶格参数随温度升高而持续减小，这表明PbTiO3在生长温度（Tg= 600oC）下仍具有铁电性，这与当前失配应变值下TC= 765oC（相比之下TCbulk= 490oC）的理论预测相符。
引用
@article{arxiv.0704.2691,
title = {Thin Lead Titanate films grown by Molecular Beam Epitaxy},
author = {Gijsbert Rispens and Beatriz Noheda},
journal= {arXiv preprint arXiv:0704.2691},
year = {2007}
}
备注
Proceedings of the Rank-Prize symposium on Opto-electronics held in Grasmere (UK), September 2006. To appear in "Ferroelectrics"