分子束外延生长的硒化铬薄膜的结构与磁性
材料科学
2020-03-04 v1 其他凝聚态物理
摘要
利用分子束外延（MBE）在 AlO(0001) 和 Si(111)-(77) 衬底上外延生长了硒化铬薄膜。反射高能电子衍射中的尖锐条纹以及扫描隧道显微镜中的三角形结构表明薄膜沿 c 轴平坦光滑地生长，且与六方表面的生长非常相似。X 射线衍射图谱证实了沿 c 轴的生长，c 轴晶格常数为 17.39 {\AA}。根据温度依赖电阻率计算，所生长薄膜为半导体，具有约 0.034 eV 的小带隙。由磁交换偏置测量估计薄膜具有反铁磁性质，奈尔温度约为 40 K。在 40 K 以下观察到较大的面外交换偏置以及较小的面内交换偏置。基于不同模型对交换偏置训练效应进行了分析，观察到其遵循修正的幂律衰减行为。
引用
@article{arxiv.2003.01199,
title = {Structural and Magnetic Properties of Molecular Beam Epitaxy Grown Chromium Selenide Thin Films},
author = {Anupam Roy and Rik Dey and Tanmoy Pramanik and Amritesh Rai and Ryan Schalip and Sarmita Majumder and Samaresh Guchhait and Sanjay K Banerjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.01199},
year = {2020}
}
备注
14 Pages, 6 Figures + Supporting Information