半 Heusler 反铁磁体 CuMnSb 的分子束外延生长

我们报道了在 InAs(001) 衬底上通过分子束外延生长 CuMnSb 薄膜。由于晶格失配，CuMnSb 层受到压缩应变（0.6~\text{%}）。根据高分辨率 X 射线衍射，薄膜的 $\omega$ 半高宽为 $7.7^{''}$，由原子力显微镜测定的均方根粗糙度为 $0.14~\text{nm}$。发现磁性与电学性质与块体样品的报道值一致。我们测得 Néel 温度为 $62~\text{K}$，Curie-Weiss 温度为 $-65~\text{K}$，有效磁矩为 $5.9~\mu_{\text{B}}/\text{f.u.}$。输运测量确认了反铁磁转变，并显示出 $4~\text{K}$ 下的剩余电阻率为 $35~\mu\Omega\cdot \text{cm}$。