Curie温度超过100 K的铁磁半导体 (In,Ga,Mn)As
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
我们通过分子束外延法在InP基片上生长了含Mn摩尔分数x最高达0.13的(In_yGa_{1-y})1-xMn_xAs铁磁半导体层。近于匹配晶格的组成时，即y≈0.53时，Curie温度随有效铁磁Mn摩尔分数x_eff的线性增大，遵循经验公式T_C=1300x_eff。当x较大时(x>0.1; x_eff>0.08)且空穴浓度为10^19 cm^-3量级时，我们获得了超过100 K的Curie温度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0201363,
title = {Ferromagnetic semiconductor (In,Ga,Mn)As with Curie temperature above 100 K},
author = {T. Slupinski and H. Munekata and A. Oiwa},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0201363},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 3 figures; Applied Physics Letters, March, 2002