Ga1-xMnxP中铁磁性的组分调控
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
我们报道了通过离子注入随后脉冲激光熔化合成的Ga1-xMnxP在x范围（即0.018至0.042）内的磁性和输运性质。与Ga1-xMnxAs一样，Ga1-xMnxP显示铁磁居里温度随x单调增加，这与空穴介导的铁磁相有关，而高于300°C的热退火导致铁磁性猝灭，伴随着Mn替代分数的降低。然而，与在Ga1-xMnxAs中的观察相反，Ga1-xMnxP在整个组分范围内是非金属的。在薄膜具有铁磁性的较低温度下，空穴输运通过Mn衍生带中的跳跃传导发生；在较高温度下，它来自价带中的空穴，这些空穴热激发跨越一个随x减小的能隙。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0608133,
title = {Compositional tuning of ferromagnetism in Ga1-xMnxP},
author = {R. Farshchi and M. A. Scarpulla and P. R. Stone and K. M. Yu and I. D. Sharp and J. W. Beeman and H. H. Silvestri and L. A. Reichertz and E. E. Haller and O. D. Dubon},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0608133},
year = {2009}
}
备注
To be published in Solid State Communications