Ga1-xMnxP 中磁性与电学性质的补偿依赖性
材料科学
2011-01-05 v2
摘要
我们证明了通过引入补偿空位，可以在很宽的范围内控制 Ga1-xMnxP 中的空穴浓度。由此产生的居里温度从 51 K 到 7.5 K 的演变，与在 Ga1-xMnxAs 中观察到的演变惊人地相似，尽管这两种材料体系之间的空穴输运性质截然不同。Ga1-xMnxP 中空穴的高度局域化性质反映在伴随的电阻率增加了好几个数量级上。基于变温电阻率数据，我们提出了空穴传导的一般图像，其中变程跳跃是在存在补偿时的主要输运机制。
引用
@article{arxiv.1010.1368,
title = {Compensation-dependence of magnetic and electrical properties in Ga1-xMnxP},
author = {T. E. Winkler and P. R. Stone and Tian Li and K. M. Yu and A. Bonanni and O. D. Dubon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.1368},
year = {2011}
}
备注
3 pages, 3 figures; accepted for publication in Applied Physics Letters