居里温度与电导率的关系：以 (Ga,Mn)As 合金为例
无序系统与神经网络
2009-11-13 v1
摘要
对稀释磁性半导体的实验研究表明，居里温度与电导率之间存在强相关性。这两个量均非平凡地依赖于磁性杂质浓度、载流子密度以及补偿缺陷的存在。我们在自洽的基础上，基于同一个考虑了补偿缺陷存在的第一性原理哈密顿量，计算了 (Ga,Mn)As 合金的居里温度和电导率。分别确定了 As 反位缺陷和 Mn 间隙原子的效应，结果表明，仅当主导机制归因于 Mn 间隙原子时，理论与实验才吻合良好。
引用
@article{arxiv.0708.3921,
title = {Relation of Curie temperature and conductivity: (Ga,Mn)As alloy as a case study},
author = {J. Kudrnovsky and G. Bouzerar and I. Turek},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.3921},
year = {2009}
}
备注
The manuscript is accepted for publication in APL