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(Ga,Mn)As 电阻率温度导数中的居里点奇异性

材料科学 2009-11-13 v2

摘要

我们在高质量 (Ga,Mn)As 铁磁半导体的居里点处观察到电阻率温度导数 dρ/dTd\rho/dT 的奇异性,其 TcT_c 范围约为 80 至 185 K。该反常的特征与传统稠密矩磁半导体中对输运的临界贡献截然不同,而让人联想到过渡金属铁磁体中的 dρ/dTd\rho/dT 奇异性。在我们实验可及的临界区域内,铁磁侧的温度依赖性可由非关联自旋涨落的主导散射来解释。顺磁侧 dρ/dTd\rho/dT 的奇异行为表明短程关联自旋涨落起着重要作用。

关键词

引用

@article{arxiv.0804.1578,
  title  = {Curie point singularity in the temperature derivative of resistivity in (Ga,Mn)As},
  author = {V. Novak and K. Olejnik and J. Wunderlich and M. Cukr and K. Vyborny and A. W. Rushforth and K. W. Edmonds and R. P. Campion and B. L. Gallagher and Jairo Sinova and T. Jungwirth},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0804.1578},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages, 3 figures