铁磁半导体(Ga,Mn)As中低补偿下的高居里温度
介观与纳米尺度物理
2013-03-12 v1
摘要
我们研究了铁磁半导体(Ga,Mn)As中居里温度TC与载流子密度p之间的关系。通过分析低温强磁场下的霍尔电阻提取载流子密度。结果发现，当对相同样品进行离子沟道测量时，两者是一致的。我们发现TC和电导率都随p的增加而单调增加，并在p与替代Mn受主浓度相当时达到最大值。这与费米能级位于狭窄孤立杂质带内的模型不一致。
引用
@article{arxiv.1303.2544,
title = {High Curie temperatures at low compensation in the ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As},
author = {M. Wang and K. W. Edmonds and B. L. Gallagher and A. W. Rushforth and O. Makarovsky and A. Patanè and R. P. Campion and C. T. Foxon and V. Novak and T. Jungwirth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.2544},
year = {2013}
}
备注
10 pages, 4 figures