MBE生长GaMnAs层中的柯里温度与载流子浓度梯度
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
我们报告了对由低温分子束外延制造的铁磁GaMnAs层电子和磁性质的详细研究。超导量子干涉仪器件测量显示，柯里温度从表面到GaMnAs/GaAs界面呈下降趋势。虽然高分辨率X射线衍射清晰显示Mn分布均匀，但通过拉曼光谱和电化学电容-电压轮廓测得，载流子浓度从表面向GaMnAs/GaAs界面显著降低。柯里温度梯度似乎是低温生长GaMnAs层的普遍特征。文中讨论了可能的解释。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0212180,
title = {Curie temperature and carrier concentration gradients in MBE grown GaMnAs layers},
author = {A. Koeder and S. Frank and W. Schoch and V. Avrutin and W. Limmer and K. Thonke and R. Sauer and M. Krieger and K. Zuern and P. Ziemann and S. Brotzmann and H. Bracht and A. Waag},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0212180},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 4 figures, submitted to APL