超薄 (Ga,Mn)As 层的磁化
材料科学
2009-11-07 v3
摘要
对超薄 (GaMn)As 层进行了克尔旋转和超导量子干涉器件 (SQUID) 磁强计测量。较薄的层（低于 250 \AA）表现出与较厚层不同的磁性，这与不同的微观结构和一定程度的非均匀性有关。在连续的低温退火后记录了这些层的场冷磁化的温度依赖性。较厚层（250 \AA）的居里温度几乎不变，而较薄层的临界温度在两次退火后提高了 23 K 以上。对类似层的二次离子质谱 (SIMS) 实验表明，退火后 Mn 发生了位移。结合 (Ga,Mn)As 层表面替代位 Mn 原子和间隙位 Mn 原子可能的偏析，对结果进行了讨论。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0208411,
title = {Magnetization of ultrathin (Ga,Mn)As layers},
author = {R. Mathieu and B. S. Sørensen and J. Sadowski and U. Södervall and J. Kanski and P. Svedlindh and P. E. Lindelof and D. Hrabovsky and E. Vanelle},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208411},
year = {2009}
}
备注
REVTeX 4 style; 5 pages, 4 figures; revised 25/2; revised 25/7 and accepted for publication