厚度对(Ga,Mn)As磁性能的依赖性
材料科学
2012-06-29 v1
摘要
我们报道了在稀磁半导体(Ga,Mn)As中，通过可控化学刻蚀/氧化减薄从15 nm直至完全去除铁磁响应，居里温度单调降低的现象。该效应在减薄过程一开始即出现，并伴随面内单轴各向异性的自旋重取向转变。我们提出，沿生长方向的自补偿缺陷（Mn间隙原子）的负梯度以及表面施主陷阱的存在，在p-d平均场Zener模型（经过适当修改以考虑空穴和Mn阳离子的非均匀分布）框架内，可以定量解释这些效应。这里描述的效果对于在概念性自旋电子器件（特别是共振隧穿器件）中使用(Ga,Mn)As或相关化合物的薄层和超薄层具有实际重要性。
引用
@article{arxiv.1205.4824,
title = {Thickness dependence of magnetic properties of (Ga,Mn)As},
author = {O. Proselkov and D. Sztenkiel and W. Stefanowicz and M. Aleszkiewicz and J. Sadowski and T. Dietl and M. Sawicki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.4824},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 4 figures and supplementary information 2 pages, 1 figure