垂直掩模磁性半导体异质结构中 Curie 温度的纳米工程化
材料科学
2009-11-11 v2
摘要
我们演示了如何通过纳米光 lithography 增强退火效果来操控埋藏在 (Ga,Mn)As 磁性半导体层中的 Curie 温度。将 GaAs 覆盖的磁性层制成纳米线，暴露出掩模化 (Ga,Mn)As 层侧壁的自由表面，从而允许通过退火去除 Mn 内陷原子。这导致 Curie 温度升高且电阻率降低，与未掩模样品相比。对于固定的退火时间，纳米线宽度越窄，Curie 温度的增益就越大。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0501298,
title = {Nanoengineered Curie Temperature in Laterally-Patterned Ferromagnetic Semiconductor Heterostructures},
author = {K. F. Eid and B. L. Sheu and O. Maksimov and M. B. Stone and P. Schiffer and N. Samarth},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0501298},
year = {2009}
}
备注
Submitted to Applied Physics Letters (minor corrections)