在(Ga,Mn)As中实现高居里温度
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
我们研究了生长温度、Ga:As比以及后退火工艺对分子束外延生长的(Ga,Mn)As层居里温度Tc的影响。我们在非常接近二维-三维相边界的生长温度下获得了最高的Tc值。由于后退火去除间隙Mn而导致的Tc增加，被第二个过程所抵消，该过程降低了Tc，并且在更高的退火温度下更有效。我们的结果表明，必须优化生长参数和后退火工艺才能获得最高的Tc。
引用
@article{arxiv.0808.1464,
title = {Achieving High Curie Temperature in (Ga,Mn)As},
author = {M Wang and R P Campion and A W Rushforth and K W Edmonds and C T Foxon and B L Gallagher},
journal= {arXiv preprint arXiv:0808.1464},
year = {2009}
}