高温分子束外延生长过程中 GaMnAs 中 Mn 深度分布的调控
介观与纳米尺度物理
2015-02-11 v1
摘要
在 580 C 的高衬底温度下生长了 Mn 掺杂 GaAs 薄膜。在生长过程中，以不同速率调节 Mn 源炉温度，导致如动态二次离子质谱 (SIMS) 所测得的各种不同的 Mn 浓度深度分布斜率。结果表明，在分子束外延 (MBE) 生长过程中通过温度控制 Mn 沉积速率可以减轻 Mn 原子向表面扩散的影响。最重要的是，样品内部 Mn 浓度随深度变化的斜率可以从负值调节为正值。
引用
@article{arxiv.1502.02967,
title = {Controlling Mn Depth Profiles in GaMnAs During High-Temperature Molecular Beam Epitaxial Growth},
author = {P. Xu and D. Qi and M. L. Ackerman and S. D. Barber and P. M. Thibado},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.02967},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 3 figures