分子束外延生长的Mn掺杂GaAs/GaAs(0 0 1)薄膜中的大气氧
介观与纳米尺度物理
2015-06-24 v1 材料科学
摘要
Mn掺杂GaAs薄膜通过使用分子束外延在高低衬底温度下生长。薄膜中的元素浓度深度分布通过使用俄歇电子能谱结合离子刻蚀来确定。对于高衬底温度生长的薄膜，Mn浓度在近表面较高，随后随深度递减。当使用低衬底温度生长薄膜时，Mn浓度分布均匀得多。出乎意料地发现，在低衬底温度生长的薄膜中存在高水平氧。
引用
@article{arxiv.1502.07215,
title = {Atmospheric oxygen in Mn doped GaAs/GaAs(0 0 1) thin films grown by molecular beam epitaxy},
author = {J. F. Xu and P. M. Thibado and C. Awo-Affouda and R. Moore and V. P. LaBella},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.07215},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 2 figures