热扩散法制备的Mn掺杂GaN的深度剖面高能光谱研究
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
我们使用光电子发射和X射线吸收光谱，对通过低温热扩散方法制备的Mn掺杂GaN进行了原位深度剖面研究。芯能级光电子发射测量表明，Mn离子扩散到GaN衬底的深（~70 Å）区域，并且通过共振光电子发射测量获得的Mn 3d部分态密度的线形接近于通过分子束外延生长的GaMnN薄膜的线形。在Mn L边的X射线吸收光谱（XAS）和X射线磁圆二色（XMCD）测量中，发现掺杂的Mn离子处于二价Mn态，并且主要是顺磁性的。在磁化测量中，使用p型GaN衬底制备的样品检测到弱的磁滞，而使用n型GaN衬底的样品仅表现出顺磁性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703429,
title = {Depth profile high-energy spectroscopic study of Mn-doped GaN prepared by thermal diffusion},
author = {J. I. Hwang and Y. Osafune and M. Kobayashi and K. Ebata and Y. Ooki and Y. Ishida and A. Fujimori and Y. Takeda and T. Okane and Y. Saitoh and K. Kobayashi and A. Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703429},
year = {2009}
}
备注
19pages, 13figures