热扩散 Mn/GaAs (001) 界面的深度剖析光电子能谱研究
材料科学
2008-06-08 v2 强关联电子
摘要
我们利用光电子能谱结合 Ar^+ 离子溅射，对热扩散 Mn/GaAs (001) 界面进行了深度剖析研究。我们发现 Mn 离子热扩散进入 GaAs 衬底的深层区域并与 GaAs 完全反应。在深层区域，600°C 加热的 Mn/GaAs (001) 样品的 Mn 2p 核心能级和 Mn 3d 价带谱与 Ga_{1-x}Mn_xAs、锌闪型 MnAs 量子点以及 As 原子四面体配位的间隙 Mn 的谱相似，表明 Mn 3d 态本质上是局域化的，但与宿主 GaAs 的电子态发生了杂化。在稀 Mn 相中观察到了铁磁性。
引用
@article{arxiv.0711.3257,
title = {Depth profile photoemission study of thermally diffused Mn/GaAs (001) interfaces},
author = {Y. Osafune and G. S. Song and J. I. Hwang and Y. Ishida and M. Kobayashi and K. Ebata and Y. Ooki and A. Fujimori and J. Okabayashi and K. Kanai and K. Kubo and M. Oshima},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.3257},
year = {2008}
}
备注
5 pages, 4 figures