嵌入GaAs的应变MnAs纳米晶中增强的电子关联、局域磁矩与居里温度
介观与纳米尺度物理
2011-08-05 v3 材料科学
强关联电子
化学物理
摘要
我们通过Mn 2p芯能级光电子能谱研究了六方MnAs的电子结构，包括在GaAs(001)上的外延连续薄膜以及嵌入GaAs中的纳米晶。基于团簇模型的组态相互作用分析表明，嵌入的MnAs纳米晶的基态由最大化Mn局域磁矩的d5组态主导。纳米尺度效应与应变显著改变了MnAs的性质。纳米晶内部的应变导致p-d杂化减少以及Mn-As成键相互作用的离子性增强。纳米晶中的空间限域与减少的p-d杂化导致d电子局域化增强，触发了d-d电子关联并增强了Mn的局域磁矩。MnAs电子结构的这些变化对纳米晶的居里温度产生了有利影响，实测表明其居里温度显著高于块体MnAs。
引用
@article{arxiv.1003.1063,
title = {Enhanced electron correlations, local moments, and Curie temperature in strained MnAs nanocrystals embedded in GaAs},
author = {M. Moreno and J. I. Cerdá and K. H. Ploog and K. Horn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.1063},
year = {2011}
}
备注
4 figures, 2 tables