相分离高温退火(Ga,Mn)As：一种负电荷转移能材料
介观与纳米尺度物理
2011-08-05 v1 材料科学
强关联电子
化学物理
摘要
基于对Mn 2p芯能级光发射的组态相互作用(CI)团簇模型分析，确定了相分离(Ga,Mn)As材料（由嵌入GaAs中的MnAs纳米团簇组成）在Zaanen-Sawatzky-Allen图中的大致位置。发现该复合材料属于具有负电荷转移能(δ)的特殊材料类别。因此，其金属性或绝缘/半导体行为取决于p-d杂化强度（受应变影响）与（尺寸依赖的）p带宽度之间的相对大小。虽然嵌入团簇中的内应变阻碍了能隙打开，但预计随着团簇尺寸减小会发生金属-半导体转变，这与p-p型（共价能隙）小能隙的打开有关。分析了均匀和相分离(Ga,Mn)As材料的电子性质，重点讨论了其金属-绝缘体转变的本质。
引用
@article{arxiv.1108.1166,
title = {Phase-separated high-temperature-annealed (Ga,Mn)As: A negative charge-transfer-energy material},
author = {M. Moreno and K. H. Ploog},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.1166},
year = {2011}
}
备注
3 figures, 1 table