(Ga,Mn)As隧道器件中磁化切换的金属-绝缘体转变
强关联电子
2009-11-11 v1
摘要
我们观察到基于(Ga,Mn)As的隧道结中出现了Efros-Shklovskii能隙。该能隙的出现由Mn受主原子上空穴波函数的扩展程度控制。利用k.p型计算，我们表明该扩展程度关键取决于(Ga,Mn)As中磁化强度的方向（其具有两个几乎等价的易轴）。这意味着可以通过改变磁化强度来可逆地将系统调谐到绝缘态或金属态。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0608683,
title = {Magnetization-Switched Metal-Insulator Transition in a (Ga,Mn)As Tunnel Device},
author = {K. Pappert and M. J. Schmidt and S. Hümpfner and C. Rüster and G. M. Schott and K. Brunner and C. Gould and G. Schmidt and L. W. Molenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0608683},
year = {2009}
}