自旋极化隧穿作为(Ga,Mn)As电子性质的探测手段

M. Elsen; H. Jaffres; R. Mattana; L. Thevenard; A. Lemaitre; J. -M. George

自旋极化隧穿作为(Ga,Mn)As电子性质的探测手段

材料科学 2007-06-04 v1

作者: M. Elsen , H. Jaffres , R. Mattana , L. Thevenard , A. Lemaitre , J. -M. George

摘要

我们展示了在充分退火处理前后(Ga,Mn)As/(In,Ga)As/(Ga,Mn)As结构的磁性与隧穿输运性质。退火后获得的磁化强度与隧穿磁电阻的共轭增加，被证明与顶部磁性电极中Mn间隙原子的减少所导致的交换能 $\Delta$ $_{exch}$ 与空穴浓度的增加有关。通过6x6带k.p模型，我们建立了隧穿磁电阻(TMR)与隧穿各向异性磁电阻(TAMR)随(Ga,Mn)As费米能(E $_F$ )与自旋分裂参数(B $_G$ )变化的一般相图。这给出了(Ga,Mn)As的交换能 $\Delta$ $_{exch}$ =6B $_G$ $\simeq$ 120 meV与空穴浓度p $\simeq1.10^{20}$ cm $^{-3}$ 的粗略估计，并进一步给出了TMR与TAMR随参与隧穿输运的特定空穴能带变化的一般趋势。

关键词

自旋极化隧穿 (Ga,Mn)As 隧穿磁电阻隧穿各向异性磁电阻 k.p模型退火

引用

@article{arxiv.0706.0109,
  title  = {Spin-Polarized Tunneling as a probe of (Ga,Mn)As electronic properties},
  author = {M. Elsen and H. Jaffres and R. Mattana and L. Thevenard and A. Lemaitre and J. -M. George},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0706.0109},
  year   = {2007}
}

备注

6 pages, 4 figures. submitted to Phys. Rev. B

自旋极化隧穿作为(Ga,Mn)As电子性质的探测手段

摘要

关键词

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