混合金属-半导体磁性隧道结中的自旋极化隧穿
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
我们展示了在铁磁金属与铁磁半导体之间进行高效自旋极化隧穿的可能性，二者导电性高度不匹配。这一现象在由铁磁金属（MnAs）和铁磁半导体（GaMnAs）之间以非磁性半导体（AlAs）隔离的等向体磁性隧道结中体现为在低温下隧道磁阻可达30%。通过分析电流-电压特性，获得有关非对称隧道势垒的详细信息。低温电导-电压特性显示出零偏置异常现象以及电导随电压的V^1/2依赖，表明GaMnAs密度态中存在关联能隙。这些实验表明，MnAs/AlAs异质结构可为向GaAs注入高效自旋提供了可靠的隧道结。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0207178,
title = {Spin-polarized Tunneling in Hybrid Metal-Semiconductor Magnetic Tunnel Junctions},
author = {S. H. Chun and S. J. Potashnik and K. C. Ku and P. Schiffer and N. Samarth},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0207178},
year = {2009}
}
备注
14 pages, submitted to Phys. Rev. B