铁磁半导体 (Ga,Mn)As/GaAs/(Ga,Mn)As 隧道结中的当前驱动磁化翻转
材料科学
2009-11-10 v3
摘要
在30 K下演示了基于铁磁半导体的 (Ga,Mn)As/GaAs/(Ga,Mn)As 磁隧道结的当前驱动磁化翻转。通过对1.5 x 0.3 μm²矩形器件施加脉冲电流并进行磁阻测量，发现即使存在p型半导体体系中的自旋轨道相互作用，磁化翻转也能在较低的临界电流密度 (1.1 - 2.2 x 10^5 A/cm²) 下发生。讨论了导致该现象的可能机制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0403500,
title = {Current-driven Magnetization Reversal in a Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As/GaAs/(Ga,Mn)As Tunnel Junction},
author = {D. Chiba and Y. Sato and T. Kita and F. Matsukura and H. Ohno},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0403500},
year = {2009}
}
备注
16 pages, 4 figures