(Ga,Mn)As 堆叠结构中 1500 倍的隧穿各向异性磁阻
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1
摘要
我们报道了在分子束外延生长的 (Ga,Mn)As/GaAs/(Ga,Mn)As 结构中发现的一种超巨隧穿各向异性磁阻。该效应源于铁磁半导体电子结构对磁化取向的强烈依赖，而非接触层的平行或反平行排列。该效应的关键新颖自旋电子学特征为：(i) 同时具有正常和反向类自旋阀信号；(ii) 对于垂直于界面的磁场，具有大的无磁滞磁阻；(iii) 极值电阻对应的磁化取向通常与磁易轴和磁硬轴不对齐。(iv) 该效应在低偏压和低温下具有巨大的放大作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0408532,
title = {1500-fold Tunneling Anisotropic Magnetoresistance in a (Ga,Mn)As stack},
author = {C. Rüster and C. Gould and T. Jungwirth and J. Sinova and G. M. Schott and R. Giraud and K. Brunner and G. Schmidt and L. W. Molenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0408532},
year = {2009}
}