有机自旋阀中的隧穿各向异性磁电阻
材料科学
2013-05-29 v2 软凝聚态物质
摘要
我们报告了在仅有一个铁磁电极的有机自旋阀类结构中观测到的隧穿各向异性磁电阻（TAMR）现象。该器件基于一种新型高迁移率的苝二酰亚胺类n型有机半导体。该效应源于从LSMO接触的隧穿注入，因此即使对于厚度过大以至于无法支持隧穿通过整个层的有机层，该效应也可能发生。磁电阻测量显示出一个清晰的自旋阀信号，具有由外延磁性电极的磁晶各向异性引起的典型两步翻转模式。
引用
@article{arxiv.0905.4573,
title = {Tunneling anisotropic magnetoresistance in organic spin valves},
author = {M. Gruenewald and M. Wahler and M. Michelfeit and C. Gould and R. Schmidt and F. Wuerthner and G. Schmidt and L. W. Molenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.4573},
year = {2013}
}
备注
10 pages 5 figures Paper has been rewritten, new results have been added