Fe/GaAs/Au结中的隧穿各向异性磁电阻：轨道效应
介观与纳米尺度物理
2009-09-28 v1
摘要
我们报告了在外延生长的Fe/GaAs/Au隧穿结上的实验，证明了隧穿各向异性磁电阻（TAMR）效应可以被磁场控制。理论建模表明，磁场轨道效应与GaAs势垒中Dresselhaus自旋-轨道耦合的相互作用导致了对TAMR效应的一个独立贡献，该贡献具有单轴对称性，而Bychkov-Rashba自旋-轨道耦合不起作用。该效应是体反演不对称势垒所固有的。
引用
@article{arxiv.0904.3017,
title = {Tunneling anisotropic magnetoresistance in Fe/GaAs/Au junctions: orbital effects},
author = {M. Wimmer and M. Lobenhofer and J. Moser and A. Matos-Abiague and D. Schuh and W. Wegscheider and J. Fabian and K. Richter and D. Weiss},
journal= {arXiv preprint arXiv:0904.3017},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures