反铁磁性 Mn$_2$Au 基隧道结中的巨磁电阻
材料科学
2020-02-04 v1
摘要
近期关于四方反铁磁体（AFM）通过 N{\'e}el 自旋轨道转矩实现电切换的研究，为反铁磁材料的经济化应用铺平了道路。目前限制反铁磁材料在自旋电子学（尤其是存储应用）中应用的最大障碍，可能是 AFM 基纳米结构中微小且脆弱的磁电阻（MR）。本研究基于第一性原理散射理论，研究了 MnAu 基隧道结中的自旋输运。在一些 Fe/MgO/Ag/MnAu/Ta 结中预测出超过 的巨磁电阻，其量级与相同势垒厚度的 MgO 基铁磁隧道结相当。自旋过滤效应、量子阱共振态与界面共振态的相互作用，可能是这些 MnAu 基结中观测到的异常巨且稳健磁电阻的成因。
引用
@article{arxiv.2002.00621,
title = {Giant magnetoresistance in antiferromagnetic Mn$_2$Au-based tunnel junction},
author = {Xing-Tao Jia and Xiao-Lin Cai and Yu Jia},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.00621},
year = {2020}
}
备注
To be published in SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy