在反铁磁半导体中观测到一种反常的巨各向异性磁电阻效应
材料科学
2021-03-05 v1
摘要
寻找具有大磁输运响应的新型反铁磁材料，对于构建具有高稳定性、快开关速度和高密度的未来自旋电子器件极为迫切。本文报道了在具有层状结构的反铁磁二元化合物稀土二硫属化物 EuTe2 中的一种巨各向异性磁电阻(AMR)效应。该 AMR 达到 40000%，比常规反铁磁合金中的值大 4 个数量级。结合磁化、电阻与理论分析表明，这一巨 AMR 效应归因于一种矢量场可调能带结构的新机制，而非传统的自旋轨道耦合机制。此外，研究发现具有局域自旋的 Eu 层与具有巡游载流子的 Te 层之间的强杂化对大 AMR 效应极为重要。我们的结果指出了探索具有显著磁输运特性的 AFM 材料的新方向，为 AFM 自旋电子学应用创造了前所未有的机遇。
引用
@article{arxiv.2103.02818,
title = {Observation of an Unusual Colossal Anisotropic Magnetoresistance Effect in an Antiferromagnetic Semiconductor},
author = {Huali Yang and Qing Liu and Zhaoliang Liao and Liang Si and Peiheng Jiang and Xiaolei Liu and Yanfeng Guo and Junjie Yin and Meng Wang and Zhigao Sheng and Yuxin Zhao and Zhiming Wang and Zhicheng Zhong and Run-Wei Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.02818},
year = {2021}
}