倾斜反铁磁体Sr2IrO4中的巨各向异性磁电阻与非易失存储
材料科学
2019-06-11 v1
摘要
反铁磁体因其零杂散场和超快自旋动力学等内在诱人特性，在自旋电子学领域引发强烈兴趣。尽管反铁磁（AFM）序已可通过多种手段调控，但基于AFM器件的读取侧仍迫切需求具应用价值的功能。本文中，我们报道在不含辅助参考层的AFM Sr2IrO4简易电阻器结构中，各向异性磁电阻（AMR）显著增强至高达约160%的巨值。该巨AMR的潜在机制是原子尺度类巨磁电阻效应与磁晶各向异性能量的不可或缺的组合，此前未被触及。此外，我们展示了双稳态非易失存储态可在原位切换而无需不便的热辅助过程，并因Sr2IrO4中1% Ga掺杂改写的层间耦合而能在零磁场下稳健保持。这些发现向着AFM自旋电子器件迈出了直接一步。
引用
@article{arxiv.1906.03782,
title = {Giant anisotropic magnetoresistance and nonvolatile memory in canted antiferromagnet Sr2IrO4},
author = {Haowen Wang and Chengliang Lu and Jun Chen and Yong Liu and S. L. Yuan and Sang-Wook Cheong and Shuai Dong and Jun-Ming Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.03782},
year = {2019}
}
备注
23 pages, 4 figures