反铁磁MnTe中的多稳态各向异性磁电阻存储器
材料科学
2016-06-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
一个常见看法假设磁存储器需要具有非零净磁矩的铁磁材料。然而，最近提出零净矩的补偿反铁磁体可能代表铁磁体的可行替代。迄今为止，实验研究聚焦于反铁磁金属中的双稳态存储器。本工作中，我们展示了外延碲化锰(MnTe)中的多稳态存储器器件，它是常见II-VI半导体中的反铁磁对应物。MnTe有利的微磁特性使我们展示平滑变化的反铁磁各向异性磁电阻(AMR)，具有对施加磁场的谐波角依赖，类似于铁磁体。连续变化的AMR提供了电读取多稳态反铁磁存储器态的手段，我们通过热辅助磁记录并改变写入场角度来设置。我们探索零场读取信号幅度对写入场强度的依赖，并展示反铁磁存储器态对抗强磁场扰动的鲁棒性。我们将反铁磁存储器中的多稳态归因于具有N\'eel矢量沿六方MnTe薄膜中三个 -平面磁易轴之一排列的不同畴分布。畴重分布在热辅助记录期间由写入场的强度和角度控制，并在足够低于N\'eel温度时冻结。
引用
@article{arxiv.1508.04877,
title = {Multiple-stable anisotropic magnetoresistance memory in antiferromagnetic MnTe},
author = {D. Kriegner and K. Vyborny and K. Olejnik and H. Reichlova and V. Novak and X. Marti and J. Gazquez and V. Saidl and P. Nemec and V. V. Volobuev and G. Springholz and V. Holy and T. Jungwirth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.04877},
year = {2016}
}