块体与薄膜 CuMnAs 中用于反铁磁存储的垂直磁各向异性
材料科学
2018-10-26 v1
摘要
具有垂直磁各向异性的 CuMnAs 被提出作为反铁磁存储的活性材料。信息可存储于反铁磁畴态中，而写入与读出可依赖于表面磁化的存在。基于第一性原理计算预测，在块体 CuMnAs 中用少量 Ge、Si、Al 或 B 原子替代 As 原子可实现易轴各向异性。该效应归因于空穴掺杂引起的费米能级附近某些电子能带占据数的改变。计算所得的磁各向异性温度依赖未呈现任何反常。薄膜 CuMnAs(001) 也被预测具有垂直磁各向异性。
引用
@article{arxiv.1810.00249,
title = {Perpendicular magnetic anisotropy in bulk and thin-film CuMnAs for antiferromagnetic memory applications},
author = {I. A. Zhuravlev and A. Adhikari and K. D. Belashchenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.00249},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 8 figures