Pd 缓冲层改善 Mn4N 薄膜中快速自旋预cession 与强垂直磁各向异性
材料科学
2025-02-21 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
反磁性材料具有ferromagnet 和antiferromagnet 的优势，使其适用于自旋电子学应用。本文我们制备了具有高 Curie 温度的 Mn4N 薄膜，并研究了Pd 缓冲层影响其晶体结构和磁性能。我们证明了由于Pd 缓冲层引起的拉伸应力松弛，Mn4N 薄膜的晶体质量和垂直磁各向异性 (PMA) 得到了显著提升。我们也展示了在室温下在 Mn4N 薄膜中实现了快速自旋预cession， nearly 100 GHz。凭借高热稳定性、缓冲层增强的 PMA 以及快速自旋预cession 的特征，Mn4N 薄膜是一种具有前景的材料，适用于自旋电子学应用。
引用
@article{arxiv.2502.14151,
title = {Fast spin precession and strong perpendicular magnetic anisotropy in ferrimagnetic Mn4N thin films improved by Pd buffer layer},
author = {Yao Zhang and Yun Kim and Peter P. Murmu and Dingbin Huang and Deyuan Lyu and Jian-Ping Wang and Xiaojia Wang and Simon Granville},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.14151},
year = {2025}
}