用于反铁磁自旋电子学的补偿亚铁磁四方Heusler薄膜
材料科学
2016-08-10 v1
摘要
近年来，反铁磁自旋电子学备受关注，因为理想反铁磁体不产生杂散场，并且相对于具有净磁化强度的材料对外界磁场稳定得多。与反铁磁体类似，补偿亚铁磁体具有零净磁化强度，但具有大自旋极化和强面外磁各向异性的潜力，因此是高密度存储应用的理想候选。这里，我们证明了在基于 Mn-Pt-Ga 的四方 Heusler 薄膜中实现了具有可调磁各向异性的完全补偿磁态。此外，我们展示了由完全补偿和部分补偿的 Mn-Pt-Ga 层形成的双层，表现出高达室温的大界面交换偏置。本工作确立了由具有相似元素组成和几乎相同晶体与电子结构的材料形成的自旋电子器件的新型设计原理。由于改进的性质（如热稳定性），此类器件具有重要的实用价值。Heusler 材料在紧密匹配材料中实现可调磁化强度和各向异性的灵活特性，为不断发展的反铁磁自旋电子学领域提供了新方向。
引用
@article{arxiv.1608.02887,
title = {Compensated ferrimagnetic tetragonal Heusler thin films for antiferromagnetic spintronics},
author = {Roshnee Sahoo and Lukas Wollmann and Susanne Selle and Thomas Höche and Benedikt Ernst and Adel Kalache and Chandra Shekhar and Nitesh Kumar and Stanislav Chadov and Claudia Felser and Stuart S. P. Parkin and Ajaya K. Nayak},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.02887},
year = {2016}
}
备注
25 pages in Advanced Materials, 2016